時間:2013年08月09日 來源:本站原創 點擊:次

　　
　　國家發改委、科技部、工信部、財政部、住建部、國家質檢總局等六個部委日前聯合發布《半導體照明節能產業規劃》以下簡稱“規劃”，《規劃》明確了半導體照明節能產業至2015年的發展從現狀與形勢、指導思想、原則和目標、主要任務、重點工程和保障措施，對我國半導體照明節能產業的發展具有重要的指導意義。
　　《規劃》是根據《國務院關于加快培育和發展戰略性新興產業的決定》、《“十二五”節能減排綜合性工作方案》、《“十二五”節能環保產業發展規劃》以及《半導體照明節能產業發展意見》等有關內容制定，對半導體照明節能產業在未來幾年中的發展做出細化規定，是半導體照明節能產業至2015年的發展目標、任務和措施的指導性文件。
　　《規劃》確定的發展目標是，到2015年，LED關鍵設備和重要原材料實現國產化，重大技術取得突破;高端應用產品達到國際先進水平，節能效果更加明顯;LED照明節能產業集中度逐步提高，產業集聚區基本確立，一批龍頭企業競爭力明顯增強;研發平臺和標準、檢測、認證體系將進一步完善。
　　《規劃》提出的具體任務是：第一、節能減排效果更加明顯,市場份額逐步擴大。到2015年，60W以上普通照明用白熾燈全部淘汰，市場占有率將降到10%以下;節能燈等傳統高效照明產品市場占有率穩定在70%左右;LED功能性照明產品市場占有率達20%以上;景觀照明市場占有率達80%以上。與傳統照明產品相比，LED道路照明節電30%以上，室內照明節電60%以上，景觀照明節電80%以上，實現年節電600億度，相當于節約標準煤2100萬噸，減少二氧化碳排放近6000萬噸。
　　第二、產業規模穩步增長，重點企業實力增強。LED照明節能產業產值年均增長30%左右，2015年達到4500億元(其中LED照明應用產品1800億元)。產業結構進一步優化，建成一批特色鮮明的半導體照明產業集聚區;形成10-15家掌握核心技術、擁有較多自主知識產權和知名品牌、質量競爭力強的龍頭企業。
　　第三，技術創新能力大幅提升，標準檢測認證體系進一步完善。LED芯片國產化率80%以上，硅基LED芯片取得重要突破。核心器件的發光效率與應用產品的質量達到國際同期先進水平。大型MOCVD裝備、關鍵原材料實現國產化，檢測設備國產化率達70%以上。建立具有世界先進水平的研發、檢測平臺和標準、認證體系。
　　為實現上述目標，有關部門將在推廣應用、技術創新、產業服務及重點工程等方面下功夫。其中重點工程實施四項：一是照明產品應用示范與推廣工程，逐步加大財政補貼LED照明產品推廣力度，適時進入家居照明領域。二是產業化關鍵技術研發工程，大力發展大尺寸外延芯片制備、集成封裝等產業化關鍵技術。
　　三是核心裝備及配套材料技術創新工程，著力推進核心裝備的引進消化吸收和再創新，力爭實現生產型MOCVD設備量產。四是標準檢測及認證體系建設工程，加快制定與出臺LED照明產品檢測方法、性能、安全、規格、接口等國家標準、行業標準。
　　《規劃》提出一系列具體的保障措施和鼓勵政策，特別值得關注的有三項：其一，我國將實施半導體照明生產設備關鍵零部件及原材料的進口稅收優惠政策，建立行業“領跑者”制度;其二，逐步擴大財政補貼推廣力度，適時將球泡燈等量大面廣、技術成熟的LED照明產品納入補貼范圍;其三，推動實施一批政府辦公樓、醫院、賓館、商廈、機場、軌道交通、道路等公共照明應用工程，落實節能產品政府采購政策，政府機關和公共機構帶頭采用LED照明產品。